LIM法とPVC観察を組み合わせた半導体不良解析プラットフォーム！日本電子 低角度イオンミリング走査電子顕微鏡「HAXIS」

日本電子は、低角度イオンミリング走査電子顕微鏡「HAXIS」を開発し、2026年10月5日より販売を開始します。

「HAXIS」は、先端半導体の不良解析に向けた新しい半導体不良解析プラットフォームです。

LIM法による剥離加工とSEMを用いたPVC観察を組み合わせ、不良箇所の迅速かつ高精度な特定に貢献します。

日本電子 低角度イオンミリング走査電子顕微鏡「HAXIS」

• 販売開始日：2026年10月5日
• 販売予定台数：年間15台

「HAXIS」は、日本電子が研究してきた電位コントラスト検出技術を取り入れた、半導体不良解析向けの新しいプラットフォームです。

先端半導体ではデバイス構造の微細化・複雑化が進み、微細な回路へナノマニピュレーターで接触して測定することが難しくなっています。

プロービングによる接触が解析対象へ影響する可能性もあり、新たな不良解析手法が求められています。

日本電子は電位コントラスト（PVC：Passive Voltage Contrast）検出技術を長年研究し、検出器と試料前処理技術の高度化によってPVCを安定かつ高再現性で観察する技術を確立しました。

「HAXIS」は、先端半導体でも鮮明で再現性の高いPVC観察を実現します。

加工ダメージやコンタミネーションの影響を抑えながら、電気的な異常箇所を視覚的に捉え、不良箇所の特定と原因究明を効率的に進められます。

不活性ガスのArを採用し、安定した加工品質と低運用コストを実現する点も特徴です。

PVC観察では剥離後の試料表面状態が観察品質を大きく左右するため、前処理の品質も重要になります。

「HAXIS」はArイオンビームを用いた低角度イオンミリング（LIM：Low-Angle Ion Milling）法による独自の剥離加工技術で、試料表面へのダメージを最小限に抑えながら平坦な加工面を形成します。

これにより、先端プロセスデバイスでも構造や電位情報を保持したまま、鮮明で再現性の高いPVC観察を可能にします。

半導体不良解析では、不良箇所の特定から物理解析、原因究明まで多段階の解析が必要です。

デバイスの複雑化に伴い、不良解析から結果を得るまでの時間短縮も重要になっています。

「HAXIS」は、故障箇所の絞り込み工程に新たな解析手段を提供します。

LIM法による剥離加工とSEMを用いたPVC観察を組み合わせ、不良箇所を迅速かつ高精度に特定し、QTAT（Quick Turnaround Time）の実現に貢献します。

「HAXIS」では、剥離加工と観察を繰り返しながら測定を進められます。