58nmテクノロジーを使用!ウィンボンド・エレクトロニクス「NORフラッシュW25Q80RV」

投稿日:2023年6月23日 更新日:

台湾台中市発 - 2023-06-14 - 半導体メモリソリューションの世界的大手サプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクスが8MビットのシリアルNORフラッシュW25Q80RVを発表!

 

ウィンボンド・エレクトロニクス「NORフラッシュW25Q80RV」

 

 

台湾台中市発 - 2023-06-14 - 半導体メモリソリューションの世界的大手サプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクスが8MビットのシリアルNORフラッシュW25Q80RVを発表!

産業用および民生用アプリケーションで使用されるコネクテッドエッジデバイスの要件に対応するため、高い読み取り性能を備えた高性能かつ小型フォームファクタのシリアルNORフラッシュファミリの最初の製品となっています。

 

ウィンボンドの12インチウエハ工場で製造される最新の8MビットシリアルNORフラッシュW25Q80RVは、58nmテクノロジーを使用。

90nmテクノロジーで製造された前世代と比較してダイサイズが大幅に小さくなっています。

この最新デバイスのKGD(Known Good Die)およびWLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)は、さまざまな小型IoT機器での使用に最適になっています。

8MビットシリアルNORフラッシュW25Q80RVは、標準のシリアル・ペリフェラル・インターフェース(SPI)、デュアル/クワッドSPIをサポート。

デュアル/クワッドSPIで直接コードを実行(XIP:Execute In Place)する場合や、RAMへのコードシャドーイングに最適です。

2.7V~3.6Vの単一電源で動作し、パワーダウンモード時の消費電流は最小1μAです。

メモリセルは、4KBの小型セクタで構成されており、コード、データ、パラメータなどのストレージを必要とするアプリケーションにおいて、柔軟性とストレージ効率を向上させることができます。

SPIのクロック周波数は最大133MHzをサポートし、デュアルI/Oで266MHz(133MHz×2)、クワッドI/Oで532MHz(133MHz×4)と同等のクロックレートを実現します。

リードコマンド・バイパス・モードは高速メモリアクセスを可能とし、真のXIPオペレーションを実現しています。

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