ウィンボンド・エレクトロニクスが、独自の高性能な16nmプロセス技術を用いて開発した「8Gb DDR4 DRAM」を発表。
テレビ、サーバー、ネットワーク機器から産業用PCまで、幅広い用途に向けて高速かつ低消費電力なソリューションを提供する新製品の登場です。
ウィンボンド「8Gb DDR4 DRAM」
発表日：2025年12月3日
メーカー：ウィンボンド・エレクトロニクス
プロセス技術：16nm
データ転送速度：最大3600Mbps
DDR5の普及が進む中でも、実績ある安定性から需要が続くDDR4エコシステムに対応した最新メモリ。
既存のインフラを活用しつつ、より高速なデータ転送とコスト効率を求めるシステム設計者のニーズに応える製品です。
ウィンボンド独自の16nmプロセス技術により、性能と効率のバランスを最適化しています。
16nmプロセスによる性能向上
先進的な16nm製造プロセス技術の活用により、ダイサイズの縮小とウエハ生産性の向上を実現。
電力効率が改善され、パッケージ面積を維持したまま高容量DRAMの統合が可能となりました。
シグナルインテグリティを高め、リーク電流を低減することで、高速動作時においても安定したパフォーマンスを発揮します。
業界初となる最大3600Mbps
本デバイスは、業界で初めて最大3600Mbpsのデータレートをサポート。
既存のDDR4規格を上回る高速データ転送を実現し、高速コンピューティングアプリケーションにおける厳しい要件を満たします。
小型ダイサイズにより、システム全体のコスト削減にも貢献する仕様です。
安定した供給とサポート
設計から製造プロセス開発、生産までの全工程を自社で完結する一貫体制を構築。
産業用および組込みアプリケーションにおいて重要となる、長期供給サポートと安定したサプライチェーンを提供します。
今後、同じ16nmプロセスを用いた新製品のラインナップ拡充も予定されています。
進化するアプリケーションの要求に応え、DDR4の可能性を広げる高性能メモリソリューション。
産業機器や組込みシステムの性能を底上げする重要なコンポーネントとして注目されます。
ウィンボンド「8Gb DDR4 DRAM」の紹介でした。